Galliumnitrid, som ett kärnhalvledarmaterial med breda bandgap, har sett en snabb kapacitetsexpansion för kraftenheter och RF-chips under hela 2026. Till skillnad från monokristallina kiselskivor når GaN-substrat Mohs hårdhet mellan 8,5-9,0, med stabil kemisk, speciell bindningsenergi, vilket ger konventionella kemiska bindningsprocesser. Vanliga CMP-dynor av polyuretan för allmänt bruk för kisel kan inte uppfylla GaN-bearbetningskraven, och materialmatchning har blivit en av de främsta flaskhalsarna som begränsar massproduktionsutbytet.
I verklig funktionsåterkoppling orsakar felaktigt matchade dynformler lätt två typiska defekter: otillräcklig materialavlägsningshastighet som leder till låg genomströmning eller överdriven mekanisk nötning som introducerar mikrorepor och skador under ytan på GaN waferytor. För epitaxiellt odlade GaN-on-Si- och GaN-on-SiC-strukturer kommer även små ytrepor att direkt försämra den elektriska prestandan hos efterföljande enheter. Testdata från industrin visar att kvalificerade GaN-dedikerade polyuretankuddar behöver balansera porstruktur, hårdhet och kemikalieresistens samtidigt. Porstorleken kontrolleras vanligtvis inom 25 μm-50 μm för att uppnå stabil uppslamningshållning och effektiv restutmatning, vilket undviker att porerna täpps till under långvarig kontinuerlig polering.
Många utvecklare av förbrukningsmaterial för halvledarprodukter justerar nu tvärbindningssystem av härdplast polyuretan för GaN-scenarier. Hårdhetsdesign måste ha en fin balans: alltför hårda kuddar ger repor, medan alltför mjuka kuddar offrar global planeringsförmåga över hela skivan. Flerskiktiga kompositstrukturer som kombinerar ett styvt topppoleringsskikt och följsam sub-pad har gradvis blivit vanliga lösningar för GaN CMP-bearbetning.
Utifrån vår samlade erfarenhet av utveckling av högpresterande polyuretanmaterial optimerar vi baspolymerformulering och mikroskumningsparametrar med inriktning på GaN-poleringsegenskaper. Vår materiallösning fokuserar på stabil porkonsistens, god beständighet mot alkalisk och sur CMP-slurry och låg partikelavskiljande prestanda. Den stöder fabs för att erhålla släta GaN-ytor på atomnivå samtidigt som den bibehåller acceptabel borttagningseffektivitet, vilket hjälper kunder att förkorta processfelsökningscyklerna för massproduktion av sammansatta halvledare.